本科生微电子器件及材料实验目的

通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。

本科生微电子器件及材料实验目录

实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验

实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验

实验三： MOS电容的CV特性测试实验

实验四：半导体霍尔效应测试实验实验

实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验

实验六：太阳能电池的特性表征实验

本科生微电子器件及材料实验测试平台优势

满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求

测试设备简单易用，专业，方便学生动手操作

核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求

测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构

以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求

本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验

l输出特性曲线

l转移特性曲线

l跨导gm

l击穿电压BVDS

l

四探针法测量半导体电阻率测试实验

l四探针法电阻率ρ

l材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频）

lCV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l霍尔电压VH

l霍尔电阻率ρ

l霍尔系数RH

l载流子浓度n

l霍尔迁移率u

激光二极管LD的LIV特性测试

lLIV特性曲线

l阈值电流Ith

l阈值电流对应电压值Vth

l拐点Kink

l线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

l开路电压Voc

l短路电流Isc

l功率值Pmax

l填充因子FF

l转换效率η

l串联电阻Rs

l旁路电阻Rsh

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）

普赛斯国产源表五表合一四象限模式

四线/开尔文测试功能

小信号测试

满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台：4寸或6寸手动探针台

有关S型源表搭建微电子器件与材料实验的更多信息请咨询一八一四零六六三四七六